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comprar Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate en línea fabricante

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
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2022-10-08 17:19:48
comprar Oblea de nitruro de galio monocristalino de GaN tipo SI en línea fabricante

Oblea de nitruro de galio monocristalino de GaN tipo SI
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2022-10-08 15:51:24
comprar La O.N.U dopó el tipo GaN Single Crystal Substrate 5x10mm2 M Face de N en línea fabricante

La O.N.U dopó el tipo GaN Single Crystal Substrate 5x10mm2 M Face de N
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2024-10-29 11:49:57
comprar 350 ± 25 μm espesor Substrato monocristalino de GaN de tipo N libre sin dopado con TTV ≤ 10 μm y resistividad 0,1 Ω·cm en línea fabricante

350 ± 25 μm espesor Substrato monocristalino de GaN de tipo N libre sin dopado con TTV ≤ 10 μm y resistividad 0,1 Ω·cm
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2025-04-27 11:43:51
comprar Cara GaN Substrate de C en línea fabricante

Cara GaN Substrate de C
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2022-10-09 17:03:25
comprar Espesor 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Sustratos de GaN independientes en línea fabricante

Espesor 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Sustratos de GaN independientes
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2025-04-04 22:43:28
comprar TTV ≤ 10μm Cara A sin dopado tipo N independiente GaN de sustrato de cristal único Resistividad 0,1 Ω·cm Dispositivo de potencia/Láser W en línea fabricante

TTV ≤ 10μm Cara A sin dopado tipo N independiente GaN de sustrato de cristal único Resistividad 0,1 Ω·cm Dispositivo de potencia/Láser W
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2025-04-27 11:43:51
comprar 5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato de cristal único de GaN de tipo N independiente sin dopaje con TTV ≤ 10μm Resistividad 0,05 Ω·cm en línea fabricante

5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato de cristal único de GaN de tipo N independiente sin dopaje con TTV ≤ 10μm Resistividad 0,05 Ω·cm
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comprar SP-Face 11-12 No dopado Tipo N GaN de pie libre Substrato de cristal único Resistividad 0,05 Ω·cm Densidad de defecto macro 0cm−2 en línea fabricante

SP-Face 11-12 No dopado Tipo N GaN de pie libre Substrato de cristal único Resistividad 0,05 Ω·cm Densidad de defecto macro 0cm−2
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comprar 5*10mm2 SP-Face sin dopado de tipo N, GaN de pie libre, sustrato de cristal único 20-21 / 20-2-1 10mm2 Resistencia 0,05 Ω·cm en línea fabricante

5*10mm2 SP-Face sin dopado de tipo N, GaN de pie libre, sustrato de cristal único 20-21 / 20-2-1 10mm2 Resistencia 0,05 Ω·cm
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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal

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