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2023-02-17 11:02:58
comprar Oblea semiconductora de nitruro de galio monocristalino TTV 10um en línea fabricante

Oblea semiconductora de nitruro de galio monocristalino TTV 10um
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2024-10-29 11:49:57
comprar 10 X 10,5 mm2 Substratos GaN en pie libre - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm en línea fabricante

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2025-04-27 11:43:50
comprar Sustrato monocristalino de GaN independiente de tipo SI dopado con Fe y cara C de 2 pulgadas Resistividad > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF en línea fabricante

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2025-04-04 22:43:44
comprar 10*10,5mm2 Característica C Fe-dopado Tipo SI GaN de pie libre Substrato de cristal único Macro Defecto Densidad 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistividad 106 Ω·Cm Dispositivos de RF Wafer en línea fabricante

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2025-04-27 11:43:51
comprar N-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la M-cara 5*10mm2 < 0,05 Ω·dispositivo de poder del cm/laser en línea fabricante

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2025-04-04 22:43:38
comprar µm del ≤ 10 del µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350 en línea fabricante

µm del ≤ 10 del µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350
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2025-04-04 22:43:27
comprar n-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre de la Uno-cara 5*10mm2 del substrato de GaN &lt; 0,05 Ω·dispositivo de poder del cm/laser en línea fabricante

n-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre de la Uno-cara 5*10mm2 del substrato de GaN < 0,05 Ω·dispositivo de poder del cm/laser
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2025-04-04 22:43:36
comprar SI-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la SP-cara 5*10mm2 (10-11) &gt; 10 ⁶ Ω·Radioinstrumento del cm en línea fabricante

SI-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la SP-cara 5*10mm2 (10-11) > 10 ⁶ Ω·Radioinstrumento del cm
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comprar avión de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) del ángulo hacia M-AXIS 0,35 ±0.15° en línea fabricante

avión de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) del ángulo hacia M-AXIS 0,35 ±0.15°
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2025-04-04 22:43:30
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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

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