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Avión de la oblea de semiconductor del nitruro del galio 325um 375um C
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El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm
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GaN dopado con UID tipo N de 4 pulgadas en oblea de zafiro Resistividad SSP>0,5 Ω cm LED, láser, oblea epitaxial PIN
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Barrera de AlGaN 4 pulgadas de GaN en la oblea de silicio HEMT Epi de nitruro de galio GaN-en-Si
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6 pulgadas GaN en silicio HEMT Epi Wafer dispositivo de alimentación Nitruro de galio GaN en Si
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GaN láser violeta en el silicio 2 pulgadas GaN en el silicio HEMT Epi oblea UV LD Epi oblea
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2 pulgadas de GaN en el silicio azul LD Epi oblea GaN láser azul en el silicio
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2 pulgadas de GaN en el silicio verde LED Epi wafer Nitruro de galio en el silicio
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Sustratos independientes de N GaN Rugosidad de la superficie de la cara N 0,5 um a 1,5 um
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Solo substrato cristalino de GaN
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