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5*10mm2 SP-Face sin dopado de tipo N, GaN de pie libre, sustrato de cristal único 20-21 / 20-2-1 10mm2 Resistencia 0,05 Ω·cm
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2025-04-27 11:43:51

4 pulgadas de Nitruro de Galio GaN
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2024-12-06 17:42:36

5*10mm2 SP-Face 10-11 No dopado Tipo N independiente GaN Substrato de cristal único 0,1 Ω·cm Resistencia para dispositivo de energía
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2025-04-27 11:43:51

10 X 10,5 mm2 C Caracter no dopado N Tipo libre de pie GaN Substrato de cristal único
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2025-04-27 11:43:50

Dispositivo de alimentación 5x10 mm2 Substrato de cristal único GaN de tipo N sin dopar, independiente, con resistividad 0,1 Ω·cm y BOW dentro de 10 μm
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2025-04-27 11:43:51

Sustrato de nitruro de galio SP Face 5 X 10 mm2 350um
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2022-10-08 16:41:01

Sic tipo substrato de N
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2022-10-09 16:57:15

Sapphire Substrate Wafer Thk plana 440um de la longitud (milímetro) microprocesador de 16 LED
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Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2
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0.6m m 0.8m m Ga2O3 solo Crystal Substrate Single Polishing
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2024-10-29 11:49:58

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