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SI-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la M-cara 5*10mm2 > 10 ⁶ Ω·Oblea de los radioinstrumentos del cm
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2022-10-25 15:19:21

N-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre <0.1 Ω de la Uno-cara 5*10mm2·dispositivo de poder del cm/laser W
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2022-10-25 15:15:40

N-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la SP-cara 5*10mm2 (10-11) < 0,05 Ω·cm
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2022-10-25 15:18:39

5*10 mm2 SP-Face (11-12) Tipo N no dopado GaN independiente Resistividad del sustrato de cristal único
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2023-02-17 11:06:00

SI-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la SP-cara 5*10mm2 (10-11) > 10 ⁶ Ω·Radioinstrumento del cm
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2022-10-25 15:17:49

SI-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la SP-cara 5*10mm2 (11-12) > 10 ⁶ Ω·Radioinstrumento del cm
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2022-10-25 15:13:23

n-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre de la Uno-cara 5*10mm2 del substrato de GaN < 0,05 Ω·dispositivo de poder del cm/laser
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2022-10-25 15:17:24

N-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre <0.1 Ω de la SP-cara 5*10mm2 (10-11)·dispositivo de poder del cm
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2022-10-25 15:18:12

N-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la SP-cara 5*10mm2 (11-12) < 0,1 Ω·dispositivo de poder del cm
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2023-02-17 11:08:54

5*10mm2 SP-cara (20-21)/(20-2-1) N-tipo sin impurificar resistencia libre de GaN Single Crystal Substrate < 0,05 Ω·cm
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2023-02-17 11:10:47

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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal