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Substratos de GaN Rugosidad de la superficie de la cara de Ga < 0,2 nm (pulido) o < 0,3 nm (pulido y tratamiento superficial para epitaxia)
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2022-10-08 16:58:42

La sola O.N.U de la cara de Crystal GaN Epitaxial Wafer 2inch C dopó el tipo de N
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2022-10-08 16:00:57

12.5m m 2inch N libre GaN Epi Wafer Si Doped
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2023-02-17 17:50:47

Solo substrato cristalino de GaN
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2023-02-17 17:55:56

Pulgada GaN Epi Wafer Dimensions del grueso 370um 430um 2 50m m
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2023-02-17 17:52:26

JDCD04-001-007 10x10mm2(010) Sustrato de cristal único Ga2O3 independiente dopado con Sn Pulido único de grado de producto
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2023-02-17 14:49:57

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-dopó el solo Crystal Substrate Product Grade solo polaco libre de Ga2O3
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2022-10-09 10:30:00

JDCD04-001-003 10x10mm2 100(Off 6°) Sustrato monocristalino de Ga2O3 independiente dopado con Fe Pulido simple de grado de producto
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2022-10-09 10:29:17

0.6m m 0.8m m Ga2O3 solo Crystal Substrate Single Polishing
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2023-02-17 14:49:22

Grueso monocristalino de sustrato de Ga2O3 pulido de un solo lado 0,6 mm 0,8 mm
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2023-02-17 14:30:35

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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal