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comprar JDCD04-001-007 10x10mm2(010) Sustrato de cristal único Ga2O3 independiente dopado con Sn Pulido único de grado de producto en línea fabricante

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2025-04-27 11:43:51
comprar JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-dopó el solo Crystal Substrate Product Grade solo polaco libre de Ga2O3 en línea fabricante

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comprar JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe dopado en pie libre Ga2O3 Substrato de cristal único Calidad de producto Polido único en línea fabricante

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2025-04-27 11:43:51
comprar 4 pulgadas de Nitruro de Galio GaN en línea fabricante

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2024-12-06 17:42:36
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2022-10-08 17:19:48
comprar el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI en línea fabricante

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2024-10-14 17:06:30
comprar Oblea epitaxial de GaN de 375 um Substratos independientes de U-GaN SI-GaN en línea fabricante

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2024-11-18 19:17:19
comprar Grosor de la oblea de nitruro de galio GaN 325um - 375um Independiente en línea fabricante

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2022-10-08 17:00:13
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2024-12-06 17:44:01
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Sustrato de nitruro de galio SP Face 5 X 10 mm2 350um
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2022-10-08 16:41:01
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Sobre

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal

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