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µm del ≤ 10 del µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350
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2022-10-25 15:04:09

avión de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) del ángulo hacia M-AXIS 0,35 ±0.15°
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2022-10-25 15:06:26

Avión de la oblea de semiconductor del nitruro del galio 325um 375um C
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2023-03-22 16:44:02

Oblea semiconductora de nitruro de galio monocristalino TTV 10um
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2023-02-17 17:57:41

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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal