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free standing gan substrates fabricación en línea

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Situación libre U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 milímetros 350 um
Contacto

2022-10-08 17:12:14

Dispositivo de alimentación 5x10 mm2 Substrato de cristal único GaN de tipo N sin dopar, independiente, con resistividad 0,1 Ω·cm y BOW dentro de 10 μm
Contacto

2025-04-27 11:43:51

SP-Face 11-12 No dopado Tipo N GaN de pie libre Substrato de cristal único Resistividad 0,05 Ω·cm Densidad de defecto macro 0cm−2
Contacto

2025-04-27 11:43:51

5*10mm2 SP-Face sin dopado de tipo N, GaN de pie libre, sustrato de cristal único 20-21 / 20-2-1 10mm2 Resistencia 0,05 Ω·cm
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2025-04-27 11:43:51

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm
Contacto

2024-10-29 11:49:57

2 pulgadas U GaN Substrates SI GaN Substrates 50.8m m
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2024-10-14 17:06:30

Sustratos independientes de N GaN Rugosidad de la superficie de la cara N 0,5 um a 1,5 um
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2022-10-08 17:14:45

oblea de semiconductor del nitruro del galio de 50.8m m situación libre de 2 pulgadas
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2022-10-08 17:22:16

10*10,5mm2 Característica C Fe-dopado Tipo SI GaN de pie libre Substrato de cristal único Macro Defecto Densidad 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistividad 106 Ω·Cm Dispositivos de RF Wafer
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2025-04-27 11:43:51

Cara GaN Substrate de C
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2022-10-09 17:03:25

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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal