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Sustratos independientes de N GaN Rugosidad de la superficie de la cara N 0,5 um a 1,5 um
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2022-10-08 17:14:45

Cara GaN Substrate de C
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2022-10-09 17:03:25

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm
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2023-03-22 16:32:03

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
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2022-10-08 17:19:48

Grosor de la oblea de nitruro de galio GaN 325um - 375um Independiente
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2022-10-08 17:00:13

la C-cara 10*10.5mm2 FE-dopó el SI-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre > 10 el ⁶ Ω·Oblea de los radioinstrumentos del cm
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2022-10-25 15:05:44

SI-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la Uno-cara 5*10mm2 > 10 ⁶ Ω·Oblea de los radioinstrumentos del cm
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2022-10-25 15:13:01

5*10mm2 SP-cara (20-21)/(20-2-1) N-tipo sin impurificar resistencia libre de GaN Single Crystal Substrate < 0,1 Ω·cm
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2022-10-25 15:16:01

N-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate libre de la C-cara 10 x 10,5 mm2
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2022-10-25 15:04:40

N-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la M-cara 5*10mm2 < 0,05 Ω·dispositivo de poder del cm/laser
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2022-10-25 15:18:59

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GaN Epitaxial Wafer

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Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

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