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2022-09-27 16:51:27
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2022-10-24 10:22:34
comprar Tipo 6inch 4H del SI del nivel P sic semi que aísla el substrato 150m m en línea fabricante

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2022-10-24 10:21:46
comprar JDCD06-001-002 Dispositivos MEMS de oblea de silicio de 3 pulgadas, circuitos integrados, sustratos dedicados para dispositivos discretos en línea fabricante

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2025-04-04 22:43:44
comprar JDCD06-001-006 Wafer de silicio de 8 pulgadas Dispositivos MEMS Circuitos integrados Substratos dedicados para dispositivos discretos en línea fabricante

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2025-04-27 11:43:51
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2025-04-04 22:43:44
comprar JDCD06-001-004 Wafer de silicio de 5 pulgadas Dispositivos MEMS Circuitos integrados Substratos dedicados para dispositivos discretos en línea fabricante

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comprar JDCD06-001-005 Wafer de silicio de 6 pulgadas Dispositivos MEMS Circuitos integrados Substratos dedicados para dispositivos discretos en línea fabricante

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comprar Tipo tipo de N del Sb N como oblea de silicio 6 pulgadas 8 pulgadas en línea fabricante

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2023-02-17 12:43:17
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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

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