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2025-04-27 11:43:50
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Proceso de JDCD07-001-003 6-Inch SOI Epitaxial Wafer For MEMS
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2025-04-04 22:42:31
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775um 725um 675um dispositivos de semiconductor de la oblea de 8 pulgadas
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2022-09-27 16:50:19
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Pulgada GaN Epi Wafer Dimensions del grueso 370um 430um 2 50m m
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2024-10-29 11:49:57
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Sobre

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal

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