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2025-04-04 22:42:33
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2022-09-27 17:01:26
comprar Cristal plano primario 4" del carburo de silicio de la longitud 32.5m m grado 100.0m m de P en línea fabricante

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2022-09-27 17:01:05
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2022-10-24 10:23:04
comprar Sustrato 350um 4H SiC en línea fabricante

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2022-10-09 16:57:57
comprar 4H Politype solo Crystal Silicon Carbide 4" cara del Si del grado de P en línea fabricante

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2022-09-27 17:01:35
comprar laser MG-dopado 4-Inch PIN Epitaxial Wafer de GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED en línea fabricante

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2025-04-04 22:43:47
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2022-10-09 16:56:20
comprar 47,5 milímetros de ± oblea sic epitaxial 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° paralelo de 1,5 milímetros en línea fabricante

47,5 milímetros de ± oblea sic epitaxial 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° paralelo de 1,5 milímetros
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2024-10-29 11:49:58
comprar 4H oblea sic epitaxial 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm del cm ≤4000/cm en línea fabricante

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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal

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