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2022-09-27 16:50:52
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2022-09-27 16:53:50
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2024-10-29 11:49:58
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2022-09-27 16:53:40
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2022-09-27 16:52:11
comprar LED azul GaN en oblea de silicio Oblea epitaxial láser azul GaN en línea fabricante

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2024-12-06 17:37:25
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2022-10-24 10:21:10
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2022-10-09 16:57:15
comprar cristal 4&quot; del carburo de silicio de 100.0m m grado Politype 4H de P en línea fabricante

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2022-10-09 10:12:00
comprar 0.015ohm.cm a 0.028ohm.cm Cristal de carburo de silicio tipo N en línea fabricante

0.015ohm.cm a 0.028ohm.cm Cristal de carburo de silicio tipo N
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2022-09-27 17:01:16
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Sobre

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal

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