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Una cara GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates
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2023-02-17 10:57:06

Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2
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2023-02-17 10:18:05

M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um
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2022-10-08 17:04:46

Sustrato monocristalino de galio de GaN independiente tipo N de cara A sin dopar
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2023-02-17 11:02:58

Oblea de cristal de zafiro de pulido optoelectrónico tipo R
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2023-02-17 11:22:48

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe dopado en pie libre Ga2O3 Substrato de cristal único Calidad de producto Polido único
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2025-04-27 11:43:51

Oblea epitaxial GaN de 5x10 mm2 Tipo SI no dopado
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2024-10-29 11:49:57

LED de sustrato de arseniuro de galio para comunicaciones ópticas
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2022-10-09 09:53:08

0.015ohm.cm a 0.028ohm.cm Cristal de carburo de silicio tipo N
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2022-09-27 17:01:16

Resistividad de cristal de carburo de silicio de grado P de 4" 0.015ohm.cm a 0.028ohm.cm
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2022-09-27 17:35:24

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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal