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CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones

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p type silicon substrate fabricación en línea

(81)

Sustrato monocristalino de GaN independiente de tipo SI dopado con Fe y cara C de 2 pulgadas Resistividad > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF
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2025-04-04 22:43:44

2 pulgadas U GaN Substrates SI GaN Substrates 50.8m m
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2024-10-14 17:06:30

SP-Face 11-12 No dopado Tipo N GaN de pie libre Substrato de cristal único Resistividad 0,05 Ω·cm Densidad de defecto macro 0cm−2
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2025-04-27 11:43:51

6 pulgadas Tipo N Oblea P MOS Grado 4H SiC Sustrato 350.0 ± 25.0um
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2022-10-24 10:21:10

La sola O.N.U de la cara de Crystal GaN Epitaxial Wafer 2inch C dopó el tipo de N
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2022-10-08 16:00:57

Dopante de boro tipo P de oblea de silicio de 0,001-100 ohm-cm
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2022-09-27 16:52:32

Tipo tipo de N del Sb N como oblea de silicio 6 pulgadas 8 pulgadas
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2023-02-17 12:43:17

Dispositivos discretos Espesor de oblea de silicio de 2 pulgadas 675um 725um 775um
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2022-09-27 16:50:52

Sic tipo substrato de N
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2022-10-09 16:57:15

Sapphire Substrate Wafer Thk plana 440um de la longitud (milímetro) microprocesador de 16 LED
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2022-09-27 16:24:09

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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal