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CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones

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p type silicon substrate fabricación en línea

(81)

TTV ≤ 10μm Cara A sin dopado tipo N independiente GaN de sustrato de cristal único Resistividad 0,1 Ω·cm Dispositivo de potencia/Láser W
Contacto

2025-04-27 11:43:51

350 ± 25 μm espesor Substrato monocristalino de GaN de tipo N libre sin dopado con TTV ≤ 10 μm y resistividad 0,1 Ω·cm
Contacto

2025-04-27 11:43:51

Tipo 6inch 4H del SI del nivel P sic semi que aísla el substrato 150m m
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2022-10-24 10:21:46

2 ′′ 6 pulgadas tipo N GaN en zafiro oblea epitaxial para dispositivo PIN láser LED
Contacto

2024-12-06 17:48:43

Sustrato 350um 4H SiC
Contacto

2022-10-09 16:57:57

n-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre de la Uno-cara 5*10mm2 del substrato de GaN < 0,05 Ω·dispositivo de poder del cm/laser
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2025-04-04 22:43:36

4H Politype solo Crystal Silicon Carbide 4" cara del Si del grado de P
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2022-09-27 17:01:35

GaN láser violeta en el silicio 2 pulgadas GaN en el silicio HEMT Epi oblea UV LD Epi oblea
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2024-12-06 17:35:32

2 pulgadas de GaN en el silicio azul LD Epi oblea GaN láser azul en el silicio
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2024-12-06 17:35:32

Barrera de AlGaN 4 pulgadas de GaN en la oblea de silicio HEMT Epi de nitruro de galio GaN-en-Si
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2024-12-06 17:33:44

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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal