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p type silicon substrate fabricación en línea

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cristal 4" del carburo de silicio de 100.0m m grado Politype 4H de P
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2022-10-09 10:12:00

cristal 4" del carburo de silicio de 100.0m m grado 18.0m m de P
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2022-09-27 17:01:26

Cristal plano primario 4" del carburo de silicio de la longitud 32.5m m grado 100.0m m de P
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2022-09-27 17:01:05

Substratos discretos superficie P/E de P/P E del Si de los dispositivos/del E.G. /G acabada
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2022-09-27 16:53:50

6 pulgadas 4H SiC Sustrato N Tipo P SBD Grado 350 μm
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2022-10-24 10:23:04

5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato de cristal único de GaN de tipo N independiente sin dopaje con TTV ≤ 10μm Resistividad 0,05 Ω·cm
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2025-04-27 11:43:51

SI-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la SP-cara 5*10mm2 (10-11) > 10 ⁶ Ω·Radioinstrumento del cm
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2025-04-04 22:43:36

Oblea de silicio de la CZ del método del crecimiento 5" orientación <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0>
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2022-09-27 16:53:40

2" primero μm estándar <10 Capabilities<5um máximo de la oblea de silicio
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2022-09-27 16:52:11

Oblea de semiconductor del silicio de la CZ 380um 525um 625um
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2022-09-27 16:51:27

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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal