Solicitar una cotización |
Inicio Productosgan fabricante en línea
Todos los productos

GaN Epitaxial Wafer

(65)

Oblea sic epitaxial

(39)

Oblea Epi GaAs

(15)

Sustratos de diamante CVD

(15)

Sistema de recocido térmico rápido

(2)

Probador de sensores de efecto Hall

(3)

Oblea del nitruro de aluminio

(21)

Microprocesador del diodo láser

(10)

Cristal del carburo de silicio

(12)

Oblea Ga2O3

(13)

oblea de silicio

(26)

Sapphire Wafer

(19)

Sapphire Substrates modelada

(10)

Tenedor de la oblea del

(1)

Cortadora de obleas

(5)
Certificación
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones
Estoy en línea para chatear ahora

gan fabricación en línea

(99)
comprar Sic tipo substrato de N en línea fabricante

Sic tipo substrato de N
Contacto

Leer más
2022-10-09 16:57:15
comprar 0.6m m 0.8m m Ga2O3 solo Crystal Substrate Single Polishing en línea fabricante

0.6m m 0.8m m Ga2O3 solo Crystal Substrate Single Polishing
Contacto

Leer más
2024-10-29 11:49:58
comprar Sapphire Substrate Wafer Thk plana 440um de la longitud (milímetro) microprocesador de 16 LED en línea fabricante

Sapphire Substrate Wafer Thk plana 440um de la longitud (milímetro) microprocesador de 16 LED
Contacto

Leer más
2022-09-27 16:24:09
comprar JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-dopó el solo Crystal Substrate Product Grade solo polaco libre de Ga2O3 en línea fabricante

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-dopó el solo Crystal Substrate Product Grade solo polaco libre de Ga2O3
Contacto

Leer más
2025-04-27 11:43:51
comprar JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe dopado en pie libre Ga2O3 Substrato de cristal único Calidad de producto Polido único en línea fabricante

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe dopado en pie libre Ga2O3 Substrato de cristal único Calidad de producto Polido único
Contacto

Leer más
2025-04-27 11:43:51
comprar 4 pulgadas de 4H-SiC Substrato P-Nivel SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Resistencia≥1E9Ω·Cm para microondas de potencia en línea fabricante

4 pulgadas de 4H-SiC Substrato P-Nivel SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Resistencia≥1E9Ω·Cm para microondas de potencia
Contacto

Leer más
2025-04-27 11:43:50
comprar Grueso monocristalino de sustrato de Ga2O3 pulido de un solo lado 0,6 mm 0,8 mm en línea fabricante

Grueso monocristalino de sustrato de Ga2O3 pulido de un solo lado 0,6 mm 0,8 mm
Contacto

Leer más
2023-02-17 14:30:35
comprar Alta pureza Al2O3＞99.995% Oblea de zafiro Pulido espejo Listo para EPI en línea fabricante

Alta pureza Al2O3＞99.995% Oblea de zafiro Pulido espejo Listo para EPI
Contacto

Leer más
2024-10-29 11:49:57
comprar Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2 en línea fabricante

Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2
Contacto

Leer más
2023-02-17 10:18:05
Page 10 of 10|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >|
Sobre

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal

DEJA UN MENSAJE

Política de privacidad | CHINA Bueno Calidad GaN Epitaxial Wafer Proveedor. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.