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Oblea de nitruro de galio monocristalino de GaN tipo SI
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2022-10-08 15:51:24

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI
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2023-03-22 16:09:10

Solo substrato cristalino de GaN
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2023-02-17 17:55:56

Pulgada GaN Epi Wafer Dimensions del grueso 370um 430um 2 50m m
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2023-02-17 17:52:26

Sustratos independientes de N GaN Rugosidad de la superficie de la cara N 0,5 um a 1,5 um
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2022-10-08 17:14:45

Zafiro plano de oblea epitaxial GaN LED azul de 4 pulgadas C
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2022-10-08 17:23:04

100m m 4 avanzan lentamente el grueso azul 5um - 6um del LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP
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2022-10-08 17:07:51

625um 675um 4 al zafiro plano azul de la pulgada LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP
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2023-03-23 16:48:11

Zafiro plano Oblea epitaxial GaN LED azul de 4 pulgadas en Sapphire SSP
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2022-10-08 17:23:32

AlGaN Buffer Espesor 600nm 2 pulgadas Blue-LED GaN en oblea de silicio
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2022-10-08 16:50:25

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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal