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SI-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la M-cara 5*10mm2 > 10 ⁶ Ω·Oblea de los radioinstrumentos del cm
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2022-10-25 15:19:21

N-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre <0.1 Ω de la SP-cara 5*10mm2 (10-11)·dispositivo de poder del cm
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2022-10-25 15:18:12

N-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la SP-cara 5*10mm2 (11-12) < 0,1 Ω·dispositivo de poder del cm
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2023-02-17 11:08:54

5*10mm2 SP-cara (20-21)/(20-2-1) N-tipo sin impurificar resistencia libre de GaN Single Crystal Substrate < 0,05 Ω·cm
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2023-02-17 11:10:47

Substratos de GaN Rugosidad de la superficie de la cara de Ga < 0,2 nm (pulido) o < 0,3 nm (pulido y tratamiento superficial para epitaxia)
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2022-10-08 16:58:42

GaN dopado con UID tipo N de 4 pulgadas en oblea de zafiro Resistividad SSP>0,5 Ω cm LED, láser, oblea epitaxial PIN
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2022-10-08 16:57:10

Capa de la dimensión 520±10nm 2inch Verde-LED GaN On Silicon Wafer 20nmContact
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2023-02-17 11:16:39

GaN LED verde de 2 pulgadas en la dimensión de la oblea de silicio 520 ± 10 nm
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2023-02-17 11:21:32

625um a 675um 4 pulgadas de LED azul nitruro de galio GaN Wafer epitaxial en zafiro SSP zafiro plano
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2024-09-30 16:43:54

Avión de la oblea de semiconductor del nitruro del galio 325um 375um C
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2023-03-22 16:44:02

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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal