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Wafer epitaxial de GaN esencial para la producción de chips de alta tensión y alta frecuencia
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2024-07-31 15:01:27

Chip de diodo láser de paquete estándar de montaje en superficie 1.0W/A
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2022-09-22 15:13:00

GaN de tipo N de 2 ′′ 6 en una oblea epitaxial de zafiro para un dispositivo PIN con láser LED
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2024-07-31 15:01:27

Sustrato de nitruro de galio SP Face 5 X 10 mm2 350um
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2022-10-08 16:41:01

Oblea semiconductora de nitruro de galio monocristalino TTV 10um
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2023-02-17 17:57:41

Ángulo de borde plano Sustratos de zafiro estampado de 16 mm Superficie frontal
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2022-10-09 10:43:37

JDCD04-001-007 10x10mm2(010) Sustrato de cristal único Ga2O3 independiente dopado con Sn Pulido único de grado de producto
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2023-02-17 14:49:57

Sapphire Crystal Wafer modelada 2inch Sapphire Substrate
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2022-10-09 10:45:33

Sustratos de zafiro estampado de 50,80 mm 430 um plano A
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2022-09-27 16:47:10

Substrato de zafiro PSS estampado con láser posterior TTV 5um
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2022-09-27 16:46:55

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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal