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Datos del producto:
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| Dimensiones: | ² de 5 x de 10m m | Orientación: | avión (de 11-22) del ángulo hacia M-AXIS 0 aviones de ±0.5° (11-22) del ángulo hacia C-AXIS - 1 ±0.2 |
|---|---|---|---|
| TTV: | ≤ el 10µm | Arco: | - ≤ el 10µm del ARCO del ≤ del 10µm |
| Densidad macra del defecto: | ² 0cm⁻ | Área usable: | > el 90% (exclusión del borde) |
| Nombre de producto: | cara GaN Substrates libre (de 11-22) | Densidad de dislocación: | ⁵ de From1 x10 al ² del cm⁻ de 3 x 10 ⁶ |
n-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre de la SP-cara 5*10mm2 (11-12) del substrato de GaN < 0="">
Descripción
Desde los años 90, se ha utilizado comúnmente en los diodos electroluminosos (LED). El nitruro del galio emite una luz azul usada para la disco-lectura en Blu-ray. Además, el nitruro del galio se utiliza en dispositivos de poder del semiconductor, componentes del RF, lasers, y photonics. En el futuro, veremos GaN en tecnología de los sensores.
| (11- 22) haga frente a los substratos libres de GaN | ||||
| Artículo |
GAN-FS-SP-U-s
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GAN-FS-SP-N-s
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GAN-FS-SP-SI-s |
Observaciones: Un ángulo circular del arco (R < 2="" mm=""> |
| Dimensiones | 5 x 10 milímetros2 | |||
| Grueso | µm 350 ±25 | |||
| Orientación |
avión (de 11-22) del ángulo hacia M-AXIS 0 ±0.5° avión (de 11-22) del ángulo hacia C-AXIS - 1 ±0.2° |
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| Tipo de la conducción | N-tipo | N-tipo | Semiaislante | |
| Resistencia (300K) | < 0=""> | < 0=""> | > 106 Ω·cm | |
| TTV | µm del ≤ 10 | |||
| ARCO | - 10 µm del ≤ 10 del ARCO del ≤ del µm | |||
| Front Surface Roughness |
< 0=""> o < 0=""> |
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| Aspereza superficial trasera |
0,5 μm ~1,5 opción: 1~3 nanómetro (tierra fina); < 0=""> |
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| Densidad de dislocación | A partir de 1 x 105 a 3 x 106 cm2s | |||
| Densidad macra del defecto | 0 cm2s | |||
| Área usable | > el 90% (exclusión del borde) | |||
| Paquete | Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en envase de 6 PCS, bajo atmósfera del nitrógeno | |||
Apéndice: El diagrama del ángulo del miscut
Si ±0.5°del δ1 = 0, después el avión (de 11-22) del ángulo hacia M-AXIS es 0 ±0.5°.
Si δ2 = - 1 ±0.2°, después el avión (de 11-22) del ángulo hacia C-AXIS es - 1 ±0.2°.
Sobre nosotros
Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.
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