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comprar El tipo listo espejo de EPI Sapphire Substrate Wafer Edge R pulió en línea fabricante

El tipo listo espejo de EPI Sapphire Substrate Wafer Edge R pulió
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2022-09-27 16:31:18
comprar Sapphire Substrate Wafer Thk plana 440um de la longitud (milímetro) microprocesador de 16 LED en línea fabricante

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2022-09-27 16:24:09
comprar C-avión Sapphire Substrate Wafer de JDCD08-001-006 6inch en línea fabricante

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2025-04-04 22:43:50
comprar JDCD08-001-002 2 pulgadas A-plano de zafiro de sustrato de obleas en línea fabricante

JDCD08-001-002 2 pulgadas A-plano de zafiro de sustrato de obleas
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2025-04-27 11:43:50
comprar 2 ′′ 6 pulgadas tipo N GaN en zafiro oblea epitaxial para dispositivo PIN láser LED en línea fabricante

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2024-12-06 17:48:43
comprar R-avión Sapphire Substrate Wafer de JDCD08-001-004 2inch en línea fabricante

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2025-04-04 22:42:27
comprar AlN 10*10mm2 AlN cristal único 400±50μM grado S/P/R en línea fabricante

AlN 10*10mm2 AlN cristal único 400±50μM grado S/P/R
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2024-12-06 17:49:47
comprar La O.N.U dopó el tipo GaN Single Crystal Substrate 5x10mm2 M Face de N en línea fabricante

La O.N.U dopó el tipo GaN Single Crystal Substrate 5x10mm2 M Face de N
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2024-10-29 11:49:57
comprar Sustrato monocristalino de GaN independiente de tipo SI dopado con Fe y cara C de 2 pulgadas Resistividad > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF en línea fabricante

Sustrato monocristalino de GaN independiente de tipo SI dopado con Fe y cara C de 2 pulgadas Resistividad > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF
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2025-04-04 22:43:44
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Sobre

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal

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