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CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones

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polished sapphire wafers fabricación en línea

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JDWY01-001-004 película gruesa de 2 pulgadas (2,3) um AIN en la oblea del zafiro, DSP, XRD FWHM (de 002) ≤100arcsec (102) ≤550arcsec
Contacto

2025-04-04 22:43:14

JDWY01-001-006 película gruesa de 2 pulgadas (3,4) Um AIN On Sapphire Wafer, DSP, XRD FWHM (de 002) ≤120arcsec (102) ≤450arcsec
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2025-04-04 22:43:14

JDWY01-001-002 Película de 2 pulgadas de espesor (1,2)Um AIN en la oblea de zafiro DSP XRD FWHM Of(002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec
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2025-04-27 11:43:50

zafiro plano de la oblea del verde LED de 4inch GaN On Sapphire Wafer Blue 100 milímetros
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2022-10-08 17:16:14

Una oblea de zafiro plano pulido espejo EPI Ready
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2023-02-17 10:36:16

Alta pureza Al2O3＞99.995% Oblea de zafiro Pulido espejo Listo para EPI
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2024-10-29 11:49:57

Oblea de cristal de zafiro de pulido optoelectrónico tipo R
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2023-02-17 11:22:48

el espejo de 50m m Sapphire Wafer R9 pulió el tipo listo del borde R de la oblea de EPI
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2023-02-17 10:17:17

Orientación del cristal C/M0.2 Oblea de zafiro Grosor 440 μm
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2022-09-26 16:02:07

Tipo R Oblea de zafiro de 50 mm Espesor 420 μm DE longitud (mm) Chip de 16 LED
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2023-02-17 11:23:22

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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal