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polished sapphire wafers fabricación en línea

(49)

50.80m m modelaron a Sapphire Substrates Thickness pulida 440um
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2022-09-27 16:46:00

N-tipo GaN On Sapphire Wafer Si-dopado SSP Resistivity<0.05 Ω cm LED, laser, PIN Epitaxial Wafer de 4 pulgadas
Contacto

2025-04-04 22:42:55

GaN dopado con magnesio tipo P de 4 pulgadas en oblea de zafiro Resistividad SSP ~ 10 Ω Cm Láser LED PIN Oblea epitaxial
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2025-04-04 22:43:49

Oblea de sustrato de zafiro Al2O3 de alta pureza de 50 mm Thk 430 μm
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2023-02-17 10:17:43

1um al lado simple o doble del substrato del nitruro de aluminio 5um pulió
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2022-09-27 15:36:51

Oblea de nitruro de aluminio semiaislante AIN en superficie de oblea de zafiro
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2022-09-27 15:39:57

625um 675um 4 al zafiro plano azul de la pulgada LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP
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2024-10-29 11:49:57

100m m 4 avanzan lentamente el grueso azul 5um - 6um del LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP
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2022-10-08 17:07:51

1 pulgada de oblea de cristal único AlN 400±50μM grado S/P/R
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2024-12-06 17:50:21

Oblea de nitruro de aluminio de 2 pulgadas pulida de lado simple o doble
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2022-09-27 15:44:55

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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal