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CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones

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n type sic crystal fabricación en línea

(26)

Sustrato 4H-SiC de 4 pulgadas Nivel P Tipo N 350,0±25,0 μM MPD≤0,5/Cm2 Resistividad 0,015 Ω•Cm—0,025 Ω•Cm
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2022-10-24 10:38:02

Resistividad de cristal de carburo de silicio de grado P de 4" 0.015ohm.cm a 0.028ohm.cm
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2022-09-27 17:35:24

cristal 4" del carburo de silicio de 100.0m m grado 18.0m m de P
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2022-09-27 17:01:26

Sustrato SiC de 2 pulgadas de 350 μm para electrónica de potencia exigente
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2023-02-17 15:34:54

Cristal plano primario 4" del carburo de silicio de la longitud 32.5m m grado 100.0m m de P
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2022-09-27 17:01:05

cristal 4" del carburo de silicio de 100.0m m grado Politype 4H de P
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2022-10-09 10:12:00

4H oblea sic epitaxial 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm del cm ≤4000/cm
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2023-02-17 15:19:25

Sustrato semiaislante de oblea SiC de 150 mm y 4H, 6 pulgadas, 350 μm
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2022-10-24 10:22:12

0.015Ω•cm-0.025Ω•CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del cm
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2023-02-17 15:51:34

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI
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2023-03-22 16:09:10

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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal