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gallium nitride semiconductor wafer fabricación en línea

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laser MG-dopado 4-Inch PIN Epitaxial Wafer de GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED
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2024-07-31 15:01:27

la C-cara 10*10.5mm2 FE-dopó el SI-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre > 10 el ⁶ Ω·Oblea de los radioinstrumentos del cm
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2022-10-25 15:05:44

Capa de la dimensión 520±10nm 2inch Verde-LED GaN On Silicon Wafer 20nmContact
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2023-02-17 11:16:39

GaN LED verde de 2 pulgadas en la dimensión de la oblea de silicio 520 ± 10 nm
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2023-02-17 11:21:32

Grueso monocristalino de sustrato de Ga2O3 pulido de un solo lado 0,6 mm 0,8 mm
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2023-02-17 14:30:35

JDCD04-001-003 10x10mm2 100(Off 6°) Sustrato monocristalino de Ga2O3 independiente dopado con Fe Pulido simple de grado de producto
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2022-10-09 10:29:17

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-dopó el solo Crystal Substrate Product Grade solo polaco libre de Ga2O3
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2022-10-09 10:30:00

N-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre <0.1 Ω de la Uno-cara 5*10mm2·dispositivo de poder del cm/laser W
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2022-10-25 15:15:40

JDCD04-001-007 10x10mm2(010) Sustrato de cristal único Ga2O3 independiente dopado con Sn Pulido único de grado de producto
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2023-02-17 14:49:57

N-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la SP-cara 5*10mm2 (11-12) < 0,1 Ω·dispositivo de poder del cm
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2023-02-17 11:08:54

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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal