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Dispositivos de la oblea de silicio de JDCD06-001-003 4-Inch MEMS, circuitos integrados, substratos dedicados para los dispositivos discretos
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2023-02-17 11:57:25

Sustrato primario de oblea epitaxial de silicio microelectrónico 279um
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2022-09-27 16:51:53

4" 5" 6" tipo de la oblea P del Si/tipo del boro N/como tipo/Sb de N
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2022-09-27 16:54:01

JDCD06-001-004 Dispositivos MEMS de oblea de silicio de 5 pulgadas, circuitos integrados, sustratos dedicados para dispositivos discretos
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2023-02-17 11:59:11

JDCD06-001-006 Dispositivos MEMS de oblea de silicio de 8 pulgadas, circuitos integrados, sustratos dedicados para dispositivos discretos
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2023-02-17 12:00:49

Dispositivos de la oblea de silicio de JDCD06-001-007 12-Inch MEMS, circuitos integrados, substratos dedicados para los dispositivos discretos
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2023-02-17 12:01:45

Dispositivos semiconductores Oblea de sustrato de silicio de 2 pulgadas 8'' 12''
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2022-09-27 16:53:03

El silicio superficie de la oblea de 8 pulgadas acabó P/P P/E E/E.G. /G
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2023-02-17 12:41:33

JDCD06-001-002 Dispositivos MEMS de oblea de silicio de 3 pulgadas, circuitos integrados, sustratos dedicados para dispositivos discretos
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2023-02-17 11:53:04

775um 725um 675um dispositivos de semiconductor de la oblea de 8 pulgadas
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2022-09-27 16:50:19

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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal