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0 8mm single crystal substrate fabricación en línea

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comprar oblea Ga2O3 10x15m m de 10x10m m solo Crystal Substrate en línea fabricante

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2022-09-27 16:57:06
comprar Solo doping del UID de Crystal Gallium Oxide Substrate del semiconductor en línea fabricante

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2022-10-09 10:30:43
comprar 10x15mm2 UID dopado independiente Ga2O3 Wafer solo pulido en línea fabricante

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2022-09-27 16:57:32
comprar 2 pulgadas U GaN Substrates SI GaN Substrates 50.8m m en línea fabricante

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2024-10-14 17:06:30
comprar Oblea epitaxial de GaN de 375 um Substratos independientes de U-GaN SI-GaN en línea fabricante

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2024-11-18 19:17:19
comprar oblea de semiconductor del nitruro del galio de 50.8m m situación libre de 2 pulgadas en línea fabricante

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2022-10-08 17:22:16
comprar 1um al lado simple o doble del substrato del nitruro de aluminio 5um pulió en línea fabricante

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2022-09-27 15:36:51
comprar Sustrato de SiC de nivel P de 2 pulgadas para dispositivos de potencia y dispositivos de microondas en línea fabricante

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2024-10-29 11:49:58
comprar Sustrato SiC de 2 pulgadas de 350 μm para electrónica de potencia exigente en línea fabricante

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2024-10-29 11:49:58
comprar Situación libre U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 milímetros 350 um en línea fabricante

Situación libre U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 milímetros 350 um
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2022-10-08 17:12:14
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Sobre

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal

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