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Datos del producto:
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| Nombre de producto: | Oblea de GaAs-Si | Método del crecimiento: | FVG |
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| Tipo de conducta: | S-C-N | Orientación: | (100)15°±0,5° Apagado Hacia<111>A |
| Ángulo de orientación: | 180° | DE Orientación: | EJ[0-1-1]±0,5° |
| DE Longitud (mm): | 17±1 | SI Longitud (mm): | 7±1 |
Sustratos dopados con Zn de GaAs(111) de 2 pulgadas
Descripción general
Los cristales de GaAs se pueden crear a través de tres métodos diferentes.Uno de los métodos más comunes es el proceso de congelación de gradiente vertical, que implica hacer crecer cristales y cortarlos, seguido de redondear los bordes y pulirlos en obleas.Otro método es la técnica Bridgman-Stockbarger.
| Oblea de GaAs-Zn | |
| Método de crecimiento | FVG |
| Tipo de conducta | SCN |
| dopante | GaAs-Zn |
| Orientación | (100)15°±0,5° Apagado Hacia<111>A |
| Ángulo de orientación | 180° |
| DE Orientación | EJ[0-1-1]±0,5° |
| DE Longitud (mm) | 17±1 |
| SI Orientación | EJ[0-11]±0,5° |
| SI Longitud (mm) | 7±1 |
| Diámetro (mm) | 50,8±0,2 |
| cc(/cc) | 0.2E19~4.0E19 |
| Resistividad (ohm.cm) | N / A |
| Movilidad (cm2/vs) | ≥1000 |
| DEP(/cm2) | ≤5000 |
| Espesor (um) | 350±25 |
| TTV (um) | <10 |
| TTR(um) | <10 |
| Arco (um) | <15 |
| Deformación (eh) | <15 |
| Superficie | Lado 1: Pulido Lado 2: Grabado |
| Epi-Ready | Sí |
| embalaje | Casete |
Sobre nosotros
Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.
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