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silicon carbide crystal 4h fabricación en línea

(28)

4H oblea sic epitaxial ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm
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2023-02-17 15:17:12

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal
Contacto

2022-10-24 10:26:24

4H oblea sic epitaxial 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm del cm ≤4000/cm
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2023-02-17 15:19:25

6 pulgadas Tipo N Oblea P MOS Grado 4H SiC Sustrato 350.0 ± 25.0um
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2022-10-24 10:21:10

Sustrato 350um 4H SiC
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2022-10-09 16:57:57

oblea sic epitaxial de 150.0m m +0mm/-0.2mm ningún plano secundario 3m m
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2023-02-17 15:10:26

Oblea epitaxial de SiC de 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm
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2022-10-24 10:23:40

Sustrato de SiC de nivel P de 2 pulgadas para dispositivos de potencia y dispositivos de microondas
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2023-02-17 15:30:04

47,5 milímetros de ± oblea sic epitaxial 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° paralelo de 1,5 milímetros
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2023-02-17 15:11:59

oblea sic epitaxial 6inch
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2022-10-09 16:56:20

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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

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