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CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones

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silicon carbide crystal 4h fabricación en línea

(28)

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC Oblea epitaxial 4H Forma de cristal
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2022-10-24 10:20:57

Sustrato 4H-SiC de 4 pulgadas Nivel P SI 500,0±25,0 μM MPD≤0,3/Cm2 Resistividad ≥1E9Ω·Cm para alimentación y microondas
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2022-10-24 10:37:50

JDZJ01-001-004 SiC Lingote Cristal 6" Grado P
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2022-09-29 15:53:31

Politipo Ninguno permitido SiC Epitaxial Wafer P-MOS P-SBD Grado D
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2023-02-17 17:47:57

0.015Ω•cm-0.025Ω•CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del cm
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2023-02-17 15:51:34

Sustrato SiC de 2 pulgadas de 350 μm para electrónica de potencia exigente
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2023-02-17 15:34:54

Sic tipo substrato de N
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2022-10-09 16:57:15

Nivel P los 260μm de la oblea de semiconductor de 2 pulgadas para los dispositivos de la microonda de los dispositivos de poder
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2022-10-24 10:25:55

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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal