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n type sic epitaxial wafer fabricación en línea

(22)

6 pulgadas Tipo N Oblea P MOS Grado 4H SiC Sustrato 350.0 ± 25.0um
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2022-10-24 10:21:10

Barrera de AlGaN 4 pulgadas de GaN en la oblea de silicio HEMT Epi de nitruro de galio GaN-en-Si
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2024-12-06 17:33:44

6 pulgadas GaN en silicio HEMT Epi Wafer dispositivo de alimentación Nitruro de galio GaN en Si
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2024-12-06 17:38:23

2 pulgadas de GaN en el silicio azul LD Epi oblea GaN láser azul en el silicio
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2024-12-06 17:35:32

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI
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2024-10-14 17:06:30

Sustrato 350um 4H SiC
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2022-10-09 16:57:57

Sustrato 4H-SiC de 4 pulgadas Nivel P Tipo N 350,0±25,0 μM MPD≤0,5/Cm2 Resistividad 0,015 Ω•Cm—0,025 Ω•Cm
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2025-04-04 22:43:25

Sustrato semiaislante de oblea SiC de 150 mm y 4H, 6 pulgadas, 350 μm
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2022-10-24 10:22:12

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
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2022-10-08 17:19:48

Tipo 6inch 4H del SI del nivel P sic semi que aísla el substrato 150m m
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2022-10-24 10:21:46

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Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal