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JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe dopado en pie libre Ga2O3 Substrato de cristal único Calidad de producto Polido único

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350 ± 25 μm espesor Substrato monocristalino de GaN de tipo N libre sin dopado con TTV ≤ 10 μm y resistividad 0,1 Ω·cm

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5*10mm2 SP-Face sin dopado de tipo N, GaN de pie libre, sustrato de cristal único 20-21 / 20-2-1 10mm2 Resistencia 0,05 Ω·cm

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JDCD06-001-005 Wafer de silicio de 6 pulgadas Dispositivos MEMS Circuitos integrados Substratos dedicados para dispositivos discretos

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JDCD06-001-004 Wafer de silicio de 5 pulgadas Dispositivos MEMS Circuitos integrados Substratos dedicados para dispositivos discretos

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10*10,5mm2 Característica C Fe-dopado Tipo SI GaN de pie libre Substrato de cristal único Macro Defecto Densidad 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistividad 106 Ω·Cm Dispositivos de RF Wafer

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Dispositivo de alimentación 5x10 mm2 Substrato de cristal único GaN de tipo N sin dopar, independiente, con resistividad 0,1 Ω·cm y BOW dentro de 10 μm

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5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato de cristal único de GaN de tipo N independiente sin dopaje con TTV ≤ 10μm Resistividad 0,05 Ω·cm

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5*10mm2 SP-Face 10-11 No dopado Tipo N independiente GaN Substrato de cristal único 0,1 Ω·cm Resistencia para dispositivo de energía

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Densidad de defecto macro 0cm−2 Tipo SI sin dopaje Substrato de cristal único independiente de GaN para dispositivos RF 5*10mm2 Cara M

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TTV ≤ 10μm Cara A sin dopado tipo N independiente GaN de sustrato de cristal único Resistividad 0,1 Ω·cm Dispositivo de potencia/Láser W

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