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Titular de oblea de teflón de 6 pulgadas Limpieza de cestas y manijas de flores
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2022-10-09 10:46:01

Compuesto semiconductor GaAs Epi Wafer de 2 pulgadas GaAs Si Wafer UKAS
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2022-09-27 17:18:19

substratos sin impurificar VGF S-C-N de la oblea 2inch GaAs de 18m m GaAs Si
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2022-10-09 09:53:40

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC Oblea epitaxial 4H Forma de cristal
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2022-10-24 10:20:57

N-tipo GaN On Sapphire Wafer Si-dopado SSP Resistivity<0.05 Ω cm LED, laser, PIN Epitaxial Wafer de 4 pulgadas
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2022-10-08 17:33:16

laser MG-dopado 4-Inch PIN Epitaxial Wafer de GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED
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2024-07-31 15:01:27

GaN dopado con UID tipo N de 4 pulgadas en oblea de zafiro Resistividad SSP>0,5 Ω cm LED, láser, oblea epitaxial PIN
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2024-11-18 19:17:19

GaN dopado con magnesio tipo P de 4 pulgadas en oblea de zafiro Resistividad SSP ~ 10 Ω Cm Láser LED PIN Oblea epitaxial
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2024-07-31 15:01:27

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas
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2024-10-14 17:06:30

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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal