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comprar Politipo Ninguno permitido SiC Epitaxial Wafer P-MOS P-SBD Grado D en línea fabricante

Politipo Ninguno permitido SiC Epitaxial Wafer P-MOS P-SBD Grado D
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2024-10-29 11:49:58
comprar 4H oblea sic epitaxial 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm del cm ≤4000/cm en línea fabricante

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2024-10-29 11:49:58
comprar oblea sic epitaxial 6inch en línea fabricante

oblea sic epitaxial 6inch
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2022-10-09 16:56:20
comprar oblea sic epitaxial de 150.0m m +0mm/-0.2mm ningún plano secundario 3m m en línea fabricante

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2024-10-29 11:49:58
comprar el P-MOS sic epitaxial de la oblea 4H califica 150,0 milímetros +0mm/-0.2mm 47,5 milímetros de ± 1,5 milímetros en línea fabricante

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2022-10-24 10:21:58
comprar P MOS Grade 2 avanza lentamente sic el SBD del nivel P P de la oblea de Epi califica el grado 150.0m m de D en línea fabricante

P MOS Grade 2 avanza lentamente sic el SBD del nivel P P de la oblea de Epi califica el grado 150.0m m de D
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2022-10-24 10:36:07
comprar Sustrato 350um 4H SiC en línea fabricante

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2022-10-09 16:57:57
comprar Sic tipo substrato de N en línea fabricante

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2022-10-09 16:57:15
comprar Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate en línea fabricante

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
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2022-10-08 17:19:48
comprar 6 pulgadas 4H SiC Sustrato N Tipo P SBD Grado 350 μm en línea fabricante

6 pulgadas 4H SiC Sustrato N Tipo P SBD Grado 350 μm
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2022-10-24 10:23:04
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Sobre

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal

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