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CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones

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sic epitaxial wafer c face fabricación en línea

(26)

Politipo Ninguno permitido SiC Epitaxial Wafer P-MOS P-SBD Grado D
Contacto

2023-02-17 17:47:57

4H oblea sic epitaxial 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm del cm ≤4000/cm
Contacto

2023-02-17 15:19:25

oblea sic epitaxial de 150.0m m +0mm/-0.2mm ningún plano secundario 3m m
Contacto

2023-02-17 15:10:26

oblea sic epitaxial 6inch
Contacto

2022-10-09 16:56:20

el P-MOS sic epitaxial de la oblea 4H califica 150,0 milímetros +0mm/-0.2mm 47,5 milímetros de ± 1,5 milímetros
Contacto

2022-10-24 10:21:58

Sic tipo substrato de N
Contacto

2022-10-09 16:57:15

Sustrato 350um 4H SiC
Contacto

2022-10-09 16:57:57

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
Contacto

2022-10-08 17:19:48

6 pulgadas 4H SiC Sustrato N Tipo P SBD Grado 350 μm
Contacto

2022-10-24 10:23:04

Sustrato monocristalino de GaN independiente de tipo SI dopado con Fe y cara C de 2 pulgadas Resistividad > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF
Contacto

2023-03-23 16:58:53

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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal