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Datos del producto:
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Deformación (μm): | ≤50μm | Diámetro: | 153±0,5 mm |
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Longitud del borde de posicionamiento principal: | 8,0±2,0 | Grueso: | 500±50mm |
Arco: | ≤50μm | Solo diámetro cristalino de la zona (milímetros): | ≥150MM |
Sic grado 6" del cristal de semilla S grado φ153±0.5mm de S
Sic puede soportar una pendiente del voltaje (o el campo eléctrico) sobre ocho veces mayor que el Si o el GaAs sin experimentar avería de avalancha. Este campo eléctrico de la alta avería permite la fabricación de dispositivos muy de alto voltaje, de alta potencia tales como diodos, de transitors del poder, de tiristores del poder y de amortiguadores de onda, así como de dispositivos de la microonda del poder más elevado. Además, permite que los dispositivos sean puestos muy cerca junto, proporcionando la alta densidad de embalaje del dispositivo para los circuitos integrados.
Grado | Nivel S | Nivel S |
Especificaciones del cristal de semilla | 6" sic | 6" sic |
Diámetro (milímetros) | 153±0.5 | 155±0.5 |
Grueso (μm) | 500±50 | 500±50 |
Arco (μm) | ≤50 | ≤50 |
Deformación (μm) | ≤50 | ≤50 |
Orientación cristalina | 4°off-axis toward±0.5°<11-20> | 4°off-axis toward±0.5°<11-20> |
Longitud de colocación principal del borde | 18.0±2.0 | 18.0±2.0 |
Longitud del dege de Subposition | 8.0±2.0 | 8.0±2.0 |
Colocación de la dirección del borde |
Cara del Si: gire a la derecha a lo largo del lado de colocación principal: 90°±5° Cara de C: gire a la izquierda a lo largo del lado de colocación principal: 90°±5° |
Cara del Si: gire a la derecha a lo largo del lado de colocación principal: 90°±5° Cara de C: gire a la izquierda a lo largo del lado de colocación principal: 90°±5° |
Resistencia | 0.01~0.04Ω·cm | 0.01~0.04Ω·cm |
Aspereza superficial | DSP, cara Ra≤1.0nm de C | DSP, cara Ra≤1.0nm de C |
Solo diámetro cristalino de la zona (milímetros) | ≥150mm | ≥152mm |
Densidad del Microtubule | ≤0.5/cm2 | ≤0.5/cm2 |
Lado del hundimiento | ≤2mm | ≤2mm |
Método de empaquetado | Embalaje de la pieza única | Embalaje de la pieza única |
Observación: La sola zona cristalina refiere al área sin la grieta y el polytype. |
Sobre nosotros
Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.
FAQ
Q: ¿Es usted empresa comercial o el fabricante?
Somos fábrica.
Q: ¿Cuánto tiempo es su plazo de expedición?
Es generalmente 3-5 días si las mercancías están en existencia.
o es 7-10 días si las mercancías no están en existencia, él está según cantidad.
Q: ¿Usted proporciona muestras? ¿está él libremente o adicional?
Sí, podríamos ofrecer la carga de la muestra gratis pero no pagamos el coste de carga.
Q: ¿Cuál es sus términos del pago?
Pago <>
>=5000USD, el 80% T/T del pago por adelantado, balanza antes del envío.
Persona de Contacto: Xiwen Bai (Ciel)
Teléfono: +8613372109561