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CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones

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silicon carbide epitaxial wafers fabricación en línea

(20)

N Tipo 6 pulgadas 4H Sustrato de carburo de silicio Longitud plana primaria 47,5 mm
Contacto

2022-10-24 10:22:34

nivel P del sustrato de carburo de silicio de 260 μm para dispositivos de potencia y dispositivos de microondas
Contacto

2023-02-17 17:14:50

6 pulgadas 4H SiC Sustrato N Tipo P SBD Grado 350 μm
Contacto

2022-10-24 10:23:04

6 pulgadas Tipo N Oblea P MOS Grado 4H SiC Sustrato 350.0 ± 25.0um
Contacto

2022-10-24 10:21:10

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
Contacto

2022-10-08 17:19:48

Sustrato 350um 4H SiC
Contacto

2022-10-09 16:57:57

Sic tipo substrato de N
Contacto

2022-10-09 16:57:15

Sustrato de nitruro de galio SP Face 5 X 10 mm2 350um
Contacto

2022-10-08 16:41:01

Sustrato monocristalino de GaN independiente de tipo SI dopado con Fe y cara C de 2 pulgadas Resistividad > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF
Contacto

2023-03-23 16:58:53

Sustrato 4H-SiC de 4 pulgadas Nivel P SI 500,0±25,0 μM MPD≤0,3/Cm2 Resistividad ≥1E9Ω·Cm para alimentación y microondas
Contacto

2022-10-24 10:37:50

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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal