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Aspereza Ra<1.5nm de AIN On Aluminum Nitride Wafer

Certificación
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones
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Aspereza Ra<1.5nm de AIN On Aluminum Nitride Wafer

Aspereza Ra&lt;1.5nm de AIN On Aluminum Nitride Wafer
Aspereza Ra&lt;1.5nm de AIN On Aluminum Nitride Wafer

Ampliación de imagen :  Aspereza Ra<1.5nm de AIN On Aluminum Nitride Wafer

Datos del producto:
Lugar de origen: Suzhou China
Nombre de la marca: GaNova
Certificación: UKAS/ISO9001:2015
Número de modelo: JDWY01-001-003
Pago y Envío Términos:
Detalles de empaquetado: Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 25 piezas o en contened
Condiciones de pago: T/T

Aspereza Ra<1.5nm de AIN On Aluminum Nitride Wafer

descripción
Grueso: [1,2) μm, [2,3) μm, [3,4) μm, [4,5) μm Orientación: Plano C (0001)±1˚
Tipo de la conducción: Semiaislante Zona de exclusión de borde: <2 mm
Nombre de producto: Oblea del nitruro de aluminio XRD FWHM de (102): ≤650arcsec, ≤550arcsec, ≤450arcsec, ≤400arcsec
Resaltar:

AIN On Aluminum Nitride Wafer

,

substrato 1um del nitruro de aluminio

,

Oblea 2um del nitruro de aluminio

Ra de la aspereza del C-avión (0001) ±1o AIN On Sapphire Wafer Surface<1>

Μm AIN On Sapphire Wafer, SSP, XRD FWHM de la película gruesa de 2 pulgadas (2,3) (002) del microprocesador ULTRAVIOLETA de la desinfección LED de ≤100arcsec (102) ≤550arcsec

Descripción

Además de su buena conductividad termal, el nitruro de aluminio es también un buen aislador eléctrico. Puede ser utilizado en una amplia variedad de usos que requieren el aislamiento eléctrico superior. También se sabe para que su capacidad resista la corrosión. Mientras que la mayor parte de las aplicaciones comunes del nitruro de aluminio están en la industria de electrónica, se encuentra cada vez más en el campo de la microelectrónica. En microelectrónica, es particularmente útil debido a su alta conductividad termal, que es inusual para un aislador eléctrico.

Especificación

Artículo AlN-T-C-U-C50
Dimensiones φ50.8 mm±0.1 milímetro, DE (1-100), Al Face, localizando el borde 16.0± 1,0 milímetros
Substrato Zafiro (laterales simples o dobles pulidos)
Grueso el 1~5μm
Orientación

C-avión (0001) ±1o

Tipo de la conducción Semiaislante
Calidad cristalina Grueso XRD FWHM de (002) XRD FWHM de (102)
μm [de 1,2) ≤80arcsec ≤650arcsec
μm [de 2,3) ≤100arcsec ≤550arcsec
μm [de 3,4) ≤120arcsec ≤450arcsec
μm [de 4,5) ≤160arcsec ≤400arcsec
Zona de exclusión del borde

<2mm>

Aspereza superficial Ra<1>
Paquete Vacío que embala en un ambiente del sitio limpio de la clase 10000, en casetes de 25pcs o de solos envases de la oblea.

Sobre nosotros

Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.

FAQ

Q: ¿Es usted empresa comercial o el fabricante?
Somos fábrica.
Q: ¿Cuánto tiempo es su plazo de expedición?
Es generalmente 3-5 días si las mercancías están en existencia.
o es 7-10 días si las mercancías no están en existencia, él está según cantidad.
Q: ¿Usted proporciona muestras? ¿está él libremente o adicional?
Sí, podríamos ofrecer la carga de la muestra gratis pero no pagamos el coste de carga.
Q: ¿Cuál es sus términos del pago?
Pago <> >=5000USD, el 80% T/T del pago por adelantado, balanza antes del envío.

Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona de Contacto: Xiwen Bai (Ciel)

Teléfono: +8613372109561

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