Sustrato 350um 4H SiC

Name: Sustrato 350um 4H SiC
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

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Certificación

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Sustrato 350um 4H SiC

Ampliación de imagen : Sustrato 350um 4H SiC

Datos del producto:

Lugar de origen:	Suzhou China
Nombre de la marca:	GaNova
Certificación:	UKAS/ISO9001:2015

Pago y Envío Términos:

Detalles de empaquetado:	Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 25 piezas o en contened
Tiempo de entrega:	3-4 días de la semana
Condiciones de pago:	T/T

Contacto

Sustrato 350um 4H SiC

descripción

Crystal Form:	4h	Contaminación de superficies metálicas:	(Al, Cr, FE, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, manganeso) cm2s ≤1E11
Nombre de producto:	Oblea sic epitaxial	Diámetro:	150.0m m +0mm/-0.2mm
Orientación superficial:	De fuera del eje: ° de 4°toward <11-20>±0.5	Longitud plana primaria:	± 1.5m m de 47.5m m
Longitud plana secundaria:	Ningún plano secundario	Orientación plana primaria:	To<11-20>±1° paralelo
Misorientation ortogonal:	±5.0°
Resaltar:	Sustrato 350um 4H SiC , oblea epitaxial Microww , sustrato 4H SiC tipo N

Sustrato 4H-SiC de 6 pulgadas Tipo N P-SBD Grado 350,0±25,0 μm MPD≤0,5/cm²Resistividad 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm para potencia y microw

Sustrato tipo N 4H-SiC de 6 pulgadas

Descripción general

El carburo de silicio (SiC) es un material de ingeniería cerámico sin óxido que ha suscitado un interés considerable.Las partículas de SiC presentan una expansión térmica relativamente baja, alta conductividad térmica, alta dureza y resistencia a la abrasión y la corrosión.

Propiedad	Grado P-MOS	Grado P-SBD	Grado D
forma de cristal	4H
politipo	Ninguno permitido		Área≤5%
(MPD)^a	≤0.2 /cm²	≤0.5 /cm²	≤5 /cm²
Placas hexagonales	Ninguno permitido		Área≤5%
Policristal Hexagonal	Ninguno permitido
Inclusiones^a	Área≤0.05%	Área≤0.05%	N / A
Resistividad	0,015Ω•cm—0,025Ω•cm	0,015Ω•cm—0,025Ω•cm	0,014 Ω•cm—0,028 Ω•cm
(EPD)^a	≤4000/cm²	≤8000/cm3²	N / A
(TED)^a	≤3000/cm3²	≤6000/cm3²	N / A
(DBP)^a	≤1000/cm²	≤2000/cm²	N / A
(TSD)^a	≤600/cm²	≤1000/cm²	N / A
Error de apilamiento	≤0.5% Área	≤1% Área	N / A
Contaminación de superficies metálicas	(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) ≤1E11 cm^-2
Diámetro	150,0 mm +0 mm/-0,2 mm
Orientación de la superficie	Fuera del eje: 4 ° hacia <11-20> ± 0,5 °
Longitud plana primaria	47,5 mm ± 1,5 mm
Longitud plana secundaria	Sin Piso Secundario
Orientación plana primaria	Paralelo a<11-20>±1°
Orientación plana secundaria	N / A
Desorientación ortogonal	±5,0°
Acabado de la superficie	Cara C: Pulido óptico, Cara Si: CMP
borde de la oblea	biselado
Rugosidad de la superficie (10 μm × 10 μm)	Cara Si Ra≤0,20 nm ； Cara C Ra≤0,50 nm
Espesor^a	350,0 μm± 25,0 μm
LTV (10 mm × 10 mm)^a	≤2 μm		≤3 μm
(TTV)^a	≤6 μm		≤10 μm
(ARCO)^a	≤15 μm	≤25 μm	≤40 μm
(Deformación)^a	≤25 μm	≤40 μm	≤60 μm
Fichas/Sangrías	Ninguno permitido ≥0,5 mm de ancho y profundidad		Cant.2 ≤1,0 mm de ancho y profundidad
Arañazos^a (Si cara, CS8520)	≤5 y longitud acumulada≤0,5×diámetro de la oblea		≤5 y longitud acumulada≤1,5 × oblea Diámetro
TUA (2 mm * 2 mm)	≥98%	≥95%	N / A
Grietas	Ninguno permitido
Contaminación	Ninguno permitido
Propiedad	Grado P-MOS	Grado P-SBD	Grado D
Exclusión de borde	3 mm

Observación: se utiliza una exclusión de borde de 3 mm para los elementos marcados con^a.

Sobre nosotros

Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.

Preguntas más frecuentes

P: ¿Es una empresa comercial o fabricante?
Somos fábrica.
P: ¿Cuál es su tiempo de entrega?
Generalmente es de 3 a 5 días si los productos están en stock.
o es de 7 a 10 días si los productos no están en stock, depende de la cantidad.
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Sí, podemos ofrecer la muestra de forma gratuita, pero no pagamos el costo del flete.
P: ¿Cuáles son sus condiciones de pago?
Pago <=5000USD, 100% por adelantado.
Paymen> = 5000 USD, 80% T/T por adelantado, saldo antes del envío.

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Persona de Contacto: Xiwen Bai (Ciel)

Teléfono: +8613372109561

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Cristal del carburo de silicio

Oblea Ga2O3

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Sic tipo substrato de N

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sustrato 4H SiC tipo N

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Tipo oblea sic epitaxial de N,

Cara sic epitaxial de la oblea C

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal