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Sustratos de diamante CVD de grado electrónico Constante dieléctrica 5.5
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2022-09-27 17:12:44

3 contenido de N del CVD Diamond Substrates de X 3mm2 < 100ppb para el disipador de calor
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2022-10-09 09:54:10

Sustratos de diamante CVD de 3,515 g/cm3 Transmitancia de luz 225 nm al infrarrojo lejano
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2022-09-27 17:12:16

Wm K 1000 ~ CVD 2000 Diamond Substrates Thermal Conductivity 300K
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2022-09-27 17:13:12

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
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2022-10-08 17:19:48

JDCD05-001-007 Sustratos de diamante CVD
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2025-04-04 22:43:03

4H oblea sic epitaxial 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm del cm ≤4000/cm
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2024-10-29 11:49:58

Tipo R Oblea de zafiro de 50 mm Espesor 420 μm DE longitud (mm) Chip de 16 LED
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2023-02-17 11:23:22

Sustrato de nitruro de galio SP Face 5 X 10 mm2 350um
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2022-10-08 16:41:01

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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal