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225nm al contenido de la oblea N del diamante monocristalino del grado electrónico infrarrojo lejano
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2022-09-27 17:13:55

grado electrónico solo Crystal Diamond 225nm de 3x3mm2 0.3m m al infrarrojo lejano
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2022-09-27 17:12:26

Diamante monocristalino de grado electrónico XRD
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2022-09-27 17:14:11

70 al grado del CVD Diamond Substrates Single Crystal Electronic de 120 PGa
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2022-09-27 17:13:37

Oblea monocristalina de grado electrónico N Content
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2022-09-27 17:14:46

Módulo de Young 1050PGa solo Crystal Substrate Electronic Grade
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2022-09-27 17:14:25

Sustratos de diamante CVD de grado electrónico Constante dieléctrica 5.5
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2022-09-27 17:12:44

Grado electrónico solo Crystal Diamond, N Content<100ppb, conductividad termal de JDCD05-001-003 1010mm20.3m m de XRD<0.015º
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2022-09-28 15:00:05

3 contenido de N del CVD Diamond Substrates de X 3mm2 < 100ppb para el disipador de calor
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2022-10-09 09:54:10

JDCD05-001-004 Diamante monocristalino de grado electrónico de 33 mm20,5 mm, contenido de N
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2022-10-09 09:54:38

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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal