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Datos del producto:
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Densidad (g/cm3): | 3.515 | Módulo de Young (PGa): | 1050 |
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Nombre de producto: | Sustratos de diamante CVD | Tenacidad a la fractura(MPa·m1/2): | 1~8 |
Conductividad térmica(300K,Wm·K): | 1000~2000 | Transmitencia ligera: | 225nm a infrarrojo lejano |
Resaltar: | 0.3m m solo Crystal Diamond,substratos de la deposición de vapor químico,Solo Crystal Diamond 225nm |
grado electrónico solo Crystal Diamond 225nm del ² *0.3mm de 3*3m m al infrarrojo lejano
grado electrónico solo Crystal Diamond, contenido del ² *0.3mm de 3*3m m de N<100ppb>
Descripción
Debido a su combinación única de propiedades materiales superiores, diamante se refiere a menudo como el último material del semiconductor para la electrónica de alta potencia. La falta cristales del electrónico-grado del oblea-tamaño de solos siempre era considerada un embotellamiento crucial para el desarrollo del dispositivo y la transferencia subsiguiente a los procesos industriales. Durante los años pasados, el progreso significativo se ha hecho para el método de alta presión clásico de la temperatura alta (HPHT) y particularmente para la técnica alternativa de la deposición de vapor químico (CVD).
Especificación
propiedades | Diamante sintético | |
Densidad (g/cm3) | 3,515 | Propiedades intrínsecas |
Módulo de Young (PGa) | 1050 |
Propiedad mecánica |
Dureza (PGa) |
cristal 70~120single 60~100 policristalinos |
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Resistencia a ruptura |
cristal 2.5-3GPasingle 200-1100MPa policristalino |
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Dureza de la fractura (MPa·m1/2) | 1~8 | |
Coeficiente de Firction | 0,1 | |
Conductividad termal (300K, Wm·K) | 1000~2000 | Propiedades termales |
Coeficiente de la extensión termal (×10-6/℃) | 1 (temperatura ambiente) | |
Índice de Rerfractive (590nm) | 2,4 | Propiedades ópticas |
Transmitencia ligera | 225nm al infrarrojo lejano | |
Anchura de hueco de banda (ev) | 5,47 | Propiedades eléctricas |
Resistencia (Ω·cm) | >1010 | |
Movilidad de electrón (cm2/V·s) | 4500 | |
Movilidad de agujero (cm2/V·s) | 3800 | |
Constante dieléctrica | 5,5 | Propiedades dieléctricas |
Pérdidas dieléctricas | <2×10-4 |
Sobre nosotros
Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.
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