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Sustratos de diamante CVD de grado electrónico Constante dieléctrica 5.5
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2022-09-27 17:12:44

Sustratos de diamante CVD de 3,515 g/cm3 Transmitancia de luz 225 nm al infrarrojo lejano
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2022-09-27 17:12:16

Wm K 1000 ~ CVD 2000 Diamond Substrates Thermal Conductivity 300K
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2022-09-27 17:13:12

3 contenido de N del CVD Diamond Substrates de X 3mm2 < 100ppb para el disipador de calor
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2022-10-09 09:54:10

70 al grado del CVD Diamond Substrates Single Crystal Electronic de 120 PGa
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2022-09-27 17:13:37

Módulo de Young 1050PGa solo Crystal Substrate Electronic Grade
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2022-09-27 17:14:25

grado electrónico solo Crystal Diamond 225nm de 3x3mm2 0.3m m al infrarrojo lejano
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225nm al contenido de la oblea N del diamante monocristalino del grado electrónico infrarrojo lejano
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Oblea monocristalina de grado electrónico N Content
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JDCD05-001-004 Diamante monocristalino de grado electrónico de 33 mm20,5 mm, contenido de N
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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal