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2023-02-17 11:22:13
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JDCD08-001-003 2 pulgadas M plano de zafiro de sustrato de obleas
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comprar Oblea de sustrato de zafiro Al2O3 de alta pureza de 50 mm Thk 430 μm en línea fabricante

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2023-02-17 10:17:43
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2023-02-17 11:22:48
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2025-04-04 22:42:27
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Sobre

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal

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