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led sapphire substrate r9 fabricación en línea

(13)

Tipo R Oblea de zafiro de 50 mm Espesor 420 μm DE longitud (mm) Chip de 16 LED
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2023-02-17 11:23:22

Una oblea de zafiro plano pulido espejo EPI Ready
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2023-02-17 10:36:16

Un plano Orientación de la superficie Zafiro Wafer Pulido de espejo Listo para EPI
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2023-02-17 10:18:27

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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal