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Datos del producto:
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| Dimensiones: | ² de 5 x de 10m m | Grueso: | 350 ±25µm |
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| Orientación: | avión (de 11-22) del ángulo hacia M-AXIS 0 aviones de ±0.5° (11-22) del ángulo hacia C-AXIS - 1 ±0.2 | TTV: | µm del ≤ 10 |
| Arco: | - ≤ el 10µm del ARCO del ≤ del 10µm | Densidad macra del defecto: | ² 0cm⁻ |
| Área usable: | > el 90% (exclusión del borde) | Nombre de producto: | cara GaN Substrates libre (de 11-22) |
5*10mm2Cara SP (11-12) Sustrato monocristalino de GaN independiente tipo n no dopado Resistividad < 0,05 Ω·cm Dispositivo de potencia/oblea láser
Descripción general
Debido a que los transistores GaN pueden encenderse más rápido que los transistores de silicio, pueden reducir las pérdidas causadas por esta transición.Otra forma en que GaN reduce la pérdida de conmutación es a través de la ausencia de un diodo de cuerpo.
GaN está creciendo en importancia debido a su capacidad para ofrecer un rendimiento significativamente mejorado en una amplia gama de aplicaciones al tiempo que reduce la energía y el espacio físico necesarios para ofrecer ese rendimiento en comparación con las tecnologías de silicio convencionales.
| (11-22) FC.Ami Free-calleaDakota del Norteinortegramo GRAMOanorte Subcallereal academia de bellas artestmis | ||||
| Artículo |
GaN-FS-SP-US
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GaN-FS-SP-NS
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GaN-FS-SP-SI-S |
Observaciones: Se utiliza un ángulo de arco circular (R < 2 mm) para distinguir la superficie delantera y la trasera. |
| Dimensiones | 5x10mm2 | |||
| Espesor | 350 ±25 micras | |||
| Orientación |
(11-22) ángulo de salida del plano hacia el eje M 0 ±0,5° (11-22) ángulo de salida del plano hacia el eje C - 1 ±0,2° |
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| Tipo de conducción | tipo N | tipo N | Semiaislante | |
| Resistividad (300K) | < 0,1 Ω·cm | < 0,05 Ω·cm | > 106Ω·cm | |
| TTV | ≤ 10 micras | |||
| ARCO | - 10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm | |||
| Rugosidad de la superficie frontal |
< 0,2 nm (pulido); o < 0,3 nm (pulido y tratamiento superficial para epitaxia) |
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| Rugosidad de la superficie trasera |
0,5 ~ 1,5 micras opción: 1~3 nm (molienda fina);< 0,2 nm (pulido) |
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| Densidad de dislocación | Desde 1x105a 3 x 106cm-2 | |||
| Densidad de macrodefectos | 0cm-2 | |||
| Área utilizable | > 90% (exclusión de bordes) | |||
| Paquete | Empaquetado en un ambiente de sala limpia de clase 100, en un contenedor de 6 PCS, bajo una atmósfera de nitrógeno | |||
Apéndice: El diagrama del ángulo de corte incorrecto
Si δ1= 0 ±0,5°, entonces (11-22) el ángulo de salida del plano hacia el eje M es 0 ±0,5°.
Si δ2= - 1 ±0,2°, entonces (11-22) el plano fuera del ángulo hacia el eje C es - 1 ±0,2°.
Sobre nosotros
Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.
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