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N-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la SP-cara 5*10mm2 (10-11) < 0,05 Ω·cm

Certificación
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones
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N-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la SP-cara 5*10mm2 (10-11) < 0,05 Ω·cm

N-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la SP-cara 5*10mm2 (10-11) &lt; 0,05 Ω·cm
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Datos del producto:
Lugar de origen: Suzhou China
Nombre de la marca: GaNova
Certificación: UKAS/ISO9001:2015
Número de modelo: JDCD01-001-011
Pago y Envío Términos:
Detalles de empaquetado: Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 6 piezas o contenedores
Tiempo de entrega: 3-4 días de la semana
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 10000pcs/Month

N-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la SP-cara 5*10mm2 (10-11) < 0,05 Ω·cm

descripción
Dimensiones: ² de 5 x de 10m m Grueso: 350 ±25µm
TTV: ≤ el 10µm Arco: - ≤ el 10µm del ARCO del ≤ del 10µm
Densidad macra del defecto: ² 0cm⁻ Área usable: > el 90% (exclusión del borde)

n-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre de la SP-cara 5*10mm2 (10-11) del substrato de GaN < 0="">


Descripción
GaN tiene muchas ventajas serias sobre el silicio, siendo más accionar eficiente, más rápido, e incluso mejorar características de la recuperación. Sin embargo, mientras que GaN puede parecer como una opción superior no substituirá el silicio en todos los usos durante algún tiempo.

(SI) GaN semiaislante se conoce para ser transparente a partir de 0,36 µm del µm to~7 donde ocurre una absorción en un segundo armónico de fonones ópticos.


(10- 11) haga frente a los substratos libres de GaN
Artículo

GAN-FS-SP-U-s

GAN-FS-SP-N-s

GAN-FS-SP-SI-s

N-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la SP-cara 5*10mm2 (10-11) < 0,05 Ω·cm 0

Observaciones:

Un ángulo circular del arco (R < 2="" mm="">

Dimensiones 5 x 10 milímetros2
Grueso µm 350 ±25
Orientación

(10 - 11) avión del ángulo hacia Uno-AXIS 0 ±0.5°

(10 - 11) avión del ángulo hacia C-AXIS - 1 ±0.2°

Tipo de la conducción N-tipo N-tipo Semiaislante
Resistencia (300K) < 0=""> < 0=""> > 106 Ω·cm
TTV µm del ≤ 10
ARCO - 10 µm del ≤ 10 del ARCO del ≤ del µm
Front Surface Roughness

< 0="">

o < 0="">

Aspereza superficial trasera

0,5 μm ~1,5

opción: 1~3 nanómetro (tierra fina); < 0="">

Densidad de dislocación A partir de 1 x 105 a 3 x 106 cm2s
Densidad macra del defecto 0 cm2s
Área usable > el 90% (exclusión del borde)
Paquete Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en envase de 6 PCS, bajo atmósfera del nitrógeno

Apéndice: El diagrama del ángulo del miscut

N-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la SP-cara 5*10mm2 (10-11) < 0,05 Ω·cm 1

Si ±0.5°del δ1 = 0, después (10 - 11) el avión del ángulo hacia Uno-AXIS es 0 ±0.5°.

Si δ2 = - 1 ±0.2°, después (10 - 11) el avión del ángulo hacia C-AXIS es - 1 ±0.2°.

Sobre nosotros

Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.

FAQ

Q: ¿Es usted empresa comercial o el fabricante?
Somos fábrica.
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Es generalmente 3-5 días si las mercancías están en existencia.
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Q: ¿Usted proporciona muestras? ¿está él libremente o adicional?
Sí, podríamos ofrecer la carga de la muestra gratis pero no pagamos el coste de carga.
Q: ¿Cuál es sus términos del pago?
Pago <> >=5000USD, el 80% T/T del pago por adelantado, balanza antes del envío.

Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona de Contacto: Xiwen Bai (Ciel)

Teléfono: +8613372109561

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