Sic tipo substrato de N

Name: Sic tipo substrato de N
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

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Certificación

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Sic tipo substrato de N

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Datos del producto:

Lugar de origen:	Suzhou China
Nombre de la marca:	GaNova
Certificación:	UKAS/ISO9001:2015

Pago y Envío Términos:

Detalles de empaquetado:	Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 25 piezas o en contened
Tiempo de entrega:	3-4 días de la semana
Condiciones de pago:	T/T

Contacto

Sic tipo substrato de N

descripción

Crystal Form:	4h	Contaminación de superficies metálicas:	(Al, Cr, FE, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, manganeso) ² del cm⁻ ≤1E11
Nombre de producto:	N-tipo del substrato de 6inch 4H-SiC	Diámetro:	150.0m m +0mm/-0.2mm
Orientación superficial:	De fuera del eje: ° de 4°toward <11-20>±0.5	Longitud plana primaria:	47,5 mm ±1,5 mm
Resaltar:	Tipo sic epitaxial substrato de N , oblea 150.0m m de 6 pulgadas , tipo substrato de 6inch N

N-tipo resistencia MPD≤0.5/cm2 0.015Ω del grado los 350.0±25.0μm de P-SBD del substrato de 6inch 4H-SiC•cm-0.025Ω•cm para el poder y Microw

N-tipo del substrato de 6inch 4H-SiC

Descripción

El carburo de silicio (sic) es actualmente ampliamente utilizado para los usos del poder más elevado MMIC. Sic también se utiliza como substrato para el crecimiento epitaxial de GaN para incluso los dispositivos de la mayor potencia MMIC. Dispositivos des alta temperatura. Porque sic tiene una alta conductividad termal, sic disipa calor más rápidamente que otros materiales del semiconductor.

Propiedad	Grado P-MOS	Grado de P-SBD	Grado de D
Crystal Form	4H
Polytype	Ningunos permitieron		El Area≤5%
(MPD) ^a	≤0.2 /cm2	≤0.5 /cm2	≤5 /cm2
Placas del hex.	Ningunos permitieron		El Area≤5%
Polycrystal hexagonal	Ningunos permitieron
Inclusiones ^a	El Area≤0.05%	El Area≤0.05%	N/A
Resistencia	0.015Ω•cm-0.025Ω•cm	0.015Ω•cm-0.025Ω•cm	0.014Ω•cm-0.028Ω•cm
(EPD) ^a	≤4000/cm2	≤8000/cm2	N/A
(TED) ^a	≤3000/cm2	≤6000/cm2	N/A
(BPD) ^a	≤1000/cm2	≤2000/cm2	N/A
(TSD) ^a	≤600/cm2	≤1000/cm2	N/A
Falta de amontonamiento	Área del ≤0.5%	Área del ≤1%	N/A
Contaminación de metal superficial	(Al, Cr, FE, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, manganeso) ≤1E11 cm^-2
Diámetro	150,0 milímetros +0mm/-0.2mm
Orientación superficial	De fuera del eje: ° <11-20>de 4°toward ±0.5
Longitud plana primaria	47,5 milímetros de ± 1,5 milímetros
Longitud plana secundaria	Ningún plano secundario
Orientación plana primaria	To±1° paralelo<11-20>
Orientación plana secundaria	N/A
Misorientation ortogonal	±5.0°
Final superficial	C-cara: Polaco óptico, Si-cara: CMP
Borde de la oblea	El biselar
Aspereza superficial (el 10μm×10μm)	Cara Ra≤0.20 nanómetro del Si; Cara Ra≤0.50 nanómetro de C
Grueso ^a	μm 350.0μm± 25,0
LTV (10mm×10m m) ^a	≤2μm		≤3μm
(TTV) ^a	≤6μm		≤10μm
(ARCO) ^a	≤15μm	≤25μm	≤40μm
(Deformación) ^a	≤25μm	≤40μm	≤60μm
Microprocesadores/mellas	Ningunos permitieron anchura y profundidad de ≥0.5mm		Anchura y profundidad de Qty.2 ≤1.0 milímetro
Rasguños ^a (Cara del Si, CS8520)	≤5 y diámetro acumulativo de Length≤0.5×Wafer		≤5 y Length≤1.5×Wafer acumulativo Diámetro
TUA (2mm*2m m)	el ≥98%	el ≥95%	N/A
Grietas	Ningunos permitieron
Contaminación	Ningunos permitieron
Propiedad	Grado P-MOS	Grado de P-SBD	Grado de D
Exclusión del borde	3m m

Observación: la exclusión del borde de 3m m se utiliza para los artículos marcados con ^{el A.}

Sobre nosotros

Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.

FAQ

Q: ¿Es usted empresa comercial o el fabricante?
Somos fábrica.
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Es generalmente 3-5 días si las mercancías están en existencia.
o es 7-10 días si las mercancías no están en existencia, él está según cantidad.
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Sí, podríamos ofrecer la carga de la muestra gratis pero no pagamos el coste de carga.
Q: ¿Cuál es sus términos del pago?
Pago <> >=5000USD, el 80% T/T del pago por adelantado, balanza antes del envío.

etiqueta:

Persona de Contacto: Xiwen Bai (Ciel)

Teléfono: +8613372109561

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GaN Epitaxial Wafer

Oblea sic epitaxial

Oblea Epi GaAs

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Oblea Ga2O3

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Cortadora de obleas

Sustrato 350um 4H SiC

Sic tipo substrato de N

oblea sic epitaxial 6inch

Sic tipo substrato de N

Sic tipo substrato de N

Tipo sic epitaxial substrato de N

oblea 150.0m m de 6 pulgadas

tipo substrato de 6inch N

Obleas epitaxiales del carburo de silicio,

Tipo oblea sic epitaxial de N,

Cara sic epitaxial de la oblea C

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal