Por favor, deje su correo electrónico correcto y sus requisitos detallados (20-3000 caracteres).

Okay

Inicio Productoswafer rapid thermal annealing system fabricante en línea

Todos los productos

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Oblea sic epitaxial
(39)

Oblea Epi GaAs
(15)

Sustratos de diamante CVD
(15)

Sistema de recocido térmico rápido
(2)

Probador de sensores de efecto Hall
(3)

Oblea del nitruro de aluminio
(21)

Microprocesador del diodo láser
(10)

Cristal del carburo de silicio
(12)

Oblea Ga2O3
(13)

oblea de silicio
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Sapphire Substrates modelada
(10)

Tenedor de la oblea del
(1)

Cortadora de obleas
(5)

Certificación

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones

Estoy en línea para chatear ahora

wafer rapid thermal annealing system fabricación en línea

(2)

sistema de recocido termal rápido de 150m m con tres gases de proceso de los sistemas
Contacto

2024-11-18 17:56:05

Procesamiento térmico rápido para aumentar la producción Sistema de recocido RTP-SA-8
Contacto

2024-12-06 17:48:00

Page 1 of 1

GaN Epitaxial Wafer

Oblea sic epitaxial

Oblea Epi GaAs

Sustratos de diamante CVD

Sistema de recocido térmico rápido

Probador de sensores de efecto Hall

Oblea del nitruro de aluminio

Microprocesador del diodo láser

Cristal del carburo de silicio

Oblea Ga2O3

oblea de silicio

Sapphire Wafer

Sapphire Substrates modelada

Tenedor de la oblea del

Cortadora de obleas

wafer rapid thermal annealing system fabricación en línea

sistema de recocido termal rápido de 150m m con tres gases de proceso de los sistemas
Contacto

Procesamiento térmico rápido para aumentar la producción Sistema de recocido RTP-SA-8
Contacto

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal